深圳市金凯峰科技发展有限公司
TI , XILINX , DALLAS , RAMTRON
深圳市金凯峰科技发展有限公司
» 产品供应
原装JK50N03Z9代替WSD3050DN DFN3*3-8 N沟道 30V50A MOS场效应管 沟槽工艺
原装JK50N03Z9代替WSD3050DN DFN3*3-8 N沟道 30V50A MOS场效应管 沟槽工艺
展开全文
相关产品
原装JK9N10Z130代替MTDA0N10AV8 DFN3*3 N沟道 100V8.5A MOS管场效应管
原装JK60N04N09代替SiR642DP DFN5*6 N沟道 40V 60A MOS 场效应管
原装JK40N10T12代替Si2305CDS-DS DFN5*6 N沟道 100V 40A MOS管
原装JK35N03N9替代AON6596 贴片DFN5*6 N 30V 35A MOS场效应管
原装JK100N03N1代替BSC011N03LS DFN5*6 N沟道 30V 100A MOS场效应管
原装JK130N06T3代替TPH2R306NH DFN5*6 N沟道 60V130A MOS场效应管
原装JK13N03S10替代AO4406A 贴片SOP-8 N 30V 13A MOS管 增强型沟道工艺
原装JK18N03S9替代AO4410 大芯片 SOP-8 N 30V 18A MOS管 增强型沟槽工艺
JK6NP06S替代AO4611 SOP-8 N+P 双沟道 60V 6.3A MOS场效应管 沟槽工艺
原装JK6NP03S替代AO4606 大芯片 SOP-8 N+P 30V 6A MOS 场效应管 沟槽工艺
原装JK40P02Z15替代AON7407贴片DFN3*3沟槽工艺P -20V -40A MOS场效应管
原装JK30N03Z12代替30N03A DFN3*3-8 N沟道 30V30A MOS场效应管 沟槽工艺
原装JK35N03Z12代替NCE3035Q DFN3*3-8 N沟道 30V35A MOS场效应管沟槽工艺
全新原装JKF12N10D120 MOS管 TO-252贴片 100V 12A 增强型N管 场效应管 沟槽工艺
全新原装 JKF12P10D200 MOS管 TO-252 P -100V-12A 大芯片 场效应管 P沟道沟槽工艺
全新原装JKF20N06D36 MOS管 TO-252贴片 60V 20A 增强型N管 场效应管 沟槽工艺 功率元器件
全新原装JKF30N06D03 MOS管 TO-252贴片 N 60V 30A 增强型N沟道场效应管 沟槽工艺
全新原装JKF100N03D05 MOS管 TO-252 N 30V 100A 台湾大芯片 场效应管 沟槽工艺
金凯峰原装JKF100N03D05替代100N03贴片TO-252 N沟道 30V 100A MOS 管****
原装JKF15N10D100 MOS场效应管TO-252封装N沟道100V 15A替代15N10
×
复制成功
QQ号
9303820920
已经复制到剪贴板
请打开QQ添加联系人粘贴
©2007-2024 11467.com
