场效应管和mos管区别

场效应管（FET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）都属于半导体器件，具有放大、开关和调节电流等功能，但是它们在工作原理和结构上有一些主要的区别。

1. 工作原理：

FET是基于电场控制的原理而工作。在FET中，通过在输入端加入一个电场，来控制输出信号。 MOSFET是基于门电电晕效应的原理工作。在MOSFET中，通过改变栅极的电势，来改变通道上的电子浓度，从而控制输出信号。

2. 结构：

FET的结构较为简单，由只有一个PN结和一个栅极组成。 MOSFET结构更加复杂， 有两个PN结和一个栅极。这样的设计使得MOSFET在工艺及性能上更加可靠和稳定。

3. 转移特性：

FET具有弱非线性，其转移特性曲线比较平滑。 MOSFET具有更宽的线性范围，其转移特性曲线比较陡峭。

4. 绝缘性能：

 MOSFET有着良好的绝缘能力， 其门电极与通道之间有一层氧化层隔离，可达到较高的绝缘电阻。

虽然FET和MOSFET都是半导体器件，但它们在工作原理、结构、转移特性和绝缘性能上存在较大的区别。